| Категория | Дискретные полупроводниковые продукты |
| Семья | Полевые транзисторы-один |
| Серии | SIPMOS® |
| FET Тип | Mosfet P-channel, оксид металла |
| FET Особенности | Логический уровень ворота |
| RDS на (max) @ id, VGS | 8 Ом @ 170мА, 10 В |
| Слива к источнику напряжения (VDSS) | 60 В |
| Ток-непрерывная слива (ID) @ 25 ° c | 170mA |
| Vgs (ч) (max) @ id | 2 В @ 20 & микро; A |
| Плата за ворот (qg) @ vgs | 1.5nC @ 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) @ vds | 19pF @ 25 В |
| Мощность-max | 360 МВт |
| Монтаж Тип | Поверхностного монтажа |
| Вышивка Крестом Пакет/Чехол | До-236-3, ск-59, СОТ-23-3 |
