Описание
Храктеристика устройства:
1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 500um
5 толщина оксида: 1000 нм
6 Модель: P
7 характеристики: одиночный кислород
8: RСред с <0,005Омега (см)
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 1000nm
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Сопутствующие товары
