| Datasheets | NTMS4176P |
| Фото продукта | 8-SOIC |
| ПХН устаревания оборудования/Войдите, чтобы увидеть цену | Несколькими Устройствами 27/Jan/2012 |
| ПХН дизайн/Параметры | Медная проволока 12/мая/2009 |
| Стандартный посылка | 2500 |
| Категория | Дискретная полупроводниковые транзисторы |
| Семья | Fetы-одиночный |
| Серия | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Полевого транзистора Тип | MOSFET P-Channel, оксид металла |
| Полевого транзистора Особенности | Стандартный |
| Слив в исходное напряжение (Vdss) | 30 V |
| Ток-непрерывный слив (Id) @ 25 °C | 5.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 МОм @ 9.6A, алюминиевая крышка, 10В |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2,5 V @ 250 & micro; A |
| Зарядка ворот (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4,5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) @ Vds | 1720pF @ 24 V |
| Мощность-макс | 810 МВт |
| Монтажный Тип | Для поверхностного монтажа |
| Посылка/Чехол | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 мм ширина) |
| Информация о поставщике устройство в упаковке | 8-SOIC |
