| Характеристики продукта | Выберите все |
| Категории | Дискретная полупроводниковые транзисторы |
| Транзисторы-биполярные (BJT)-одиночные |
| Производитель | 0N полупроводник |
| Серия | - |
| Упаковка | Оптом |
| Состояние части | Устаревших |
| ТРАНЗИСТОР Тип | Силовые транзисторы NPN |
| Коллектор тока (Ic) (макс) | 500mA |
| Напряжение-коллектор излучатель (макс.) | 40 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | - |
| Токосборщик тока (макс) | 10nA (ICBO) |
| Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 250 @ 100 & micro; A, 5 V |
| Мощность-макс | 625 МВт |
| Частота-Переход | - |
| Операционной Температура | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Монтажный Тип | Сквозное отверстие |
| Посылка/Чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Информация о поставщике устройство в упаковке | TO-92-3 |
| Основание номер детали | TIS97 |
