Changzhou Jinke(JK9610A] MOS fet-тестер MOS тестер

Описание

Краткая информация

Тип JK9610A мощность fet-тестер-это новый полностью цифровой дисплей Тип мощный FET параметр испытательное устройство, используется для номинального тока около 2-85A, мощность в 300 Вт N и P плащ-Тренч MOSFET основные параметры теста. Он может точно измерить напряжение поломки VDSS, напряжение включения ворот VGS (th) и усиливающие характерные параметры транпроводимости Gfs, особенно тестовый ток транспроводимости Gfs может достигать 50А, метод испытания на импульсный ток, даже в тесте на токе, не повредит устройство под испытанием, Параметры могут быть более последовательными на FET в тестовом состоянии (сопряжение); измерительные приборы используется для параметров IGBT эквивалент тока; электронные компоненты тестовое устройство или инструмент с отличной производительностью, тестовое напряжение, когда ток утечки 1мА, 250uA, 25uA блок три можно выбрать. Инструмент в основном используется в области транзистора силового поля и IGBT, соответствия параметров и тестирования других электронных компонентов. Инструмент делится на два типа: N канал направляющего тестера и P канал направляющего тестера. Инструмент имеет преимущества красивого внешнего вида, стабильной производительности, точного измерения, простой эксплуатации и безопасного и удобного использования.

Два, Основные технические характеристики

1, напряжение поломки VDSS Диапазон измерения: 0-1999 в, Точность: менее 2.5%.

2, IDSS можно делить на три варианта: 1mA, 250uA, 25uA.

3, диапазон измерения напряжения VGS (th): 0-10 V. Точность: менее 5%.

4. тестовый ток Idm Gfs: не менее 1-50 A непрерывная регулируемая точность: менее 10%.

5, Диапазон испытаний проводимости Gfs: 1-100.

Три, основная функция тестирования

1, силовой МОП-транзидулятор пороговое напряжение, напряжение поломки VDSS VGS (th), тест на транпроводимость Gfs.

Напряжение поломки V 2, IGBT (BR) ces, VGE (th) пороговое напряжение ворот, проводимость Gfs теста.

3, транзистор силового поля и IGBT в 50A под любым тестом консистенции состояния тока, используется для соответствия.

4, для другого более высокого тока и силового поля эффект транзистора и IGBT тест: (см. ниже).

5, все виды транзисторов, диодов, Зенер тест напряжения.

6, тест на Варистор напряжения.