Дисульфида молибдена 10: титанат бария SrTiO3 подложки MoS2

Крупнейших 4 дюймов диски в настоящее время доступны, и больших размеров (8, 12 дюйм(ов)) В ближайшее время.

Основные свойства:

Нелегированных дисульфида молибдена является многослойным n-типа полупроводниковые принадлежащих переход из металла dichalcogenide с объемной лентой gap 1,23 eV (косвенные группа gap) и одного слоя MoS2 запрещенной зоны ~ 1,85 eV (Прямая Группа gap).

Метод производства:

Химического парофазного осаждения (CVD)

Введение продукта:

Шесть углерода технологии MoS2 фильм разделен на разнообразие:

1) один слой дискретно распределенных треугольные один кристалл зерна с треугольный длина стороны обычно несколько десятков до сто микрометров.

2) однослойный непрерывной фильм, который продолжает расти в далянь по треугольные зерна.

3) Многослойные MoS2 непрерывный фильм.

4) подложки: MoS2 имеет много дополнительных материалах, среди которых наиболее часто используемых кремниевой подложке, оксид вафельные подложки и сапфировый субстрат являемся непосредственным осаждения товары. Другое субстратов, таких как ПЭТ, PI, ITO, FTO, стекло, металл материалах и т. д. передаются к желаемому подложки клиентом после роста на сапфир.

Применение областях:

Устройства оптоэлектронные, микроэлектронных устройств, биодатчиков, химической зондирования и других областях.

Упаковка и характеристики

10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-дюймовые вафли или клиент-указано нестандартного размера.

Очистки вакуумная упаковка, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..

Типичные клиенты включают:

MIT, Caltech, Стэнфордский университет;

Оксфордского университета, Манчестер университета;

Сеульского национального университета, Корейского института науки и Технология (KAIST), и Sungkyunkwan университета;

Токио Институт Технология, Murata Производство ООО.

Университет Цинхуа, Пекинский университет, Институт полупроводников, Китайской академии наук

И других всемирно известные научные учреждения.