IRLB3036GPBF дискретный полупроводник(Mr_Li

496 руб.

Описание

Список данных	IRLB3036GPbF
Фото продукта	TO-220AB упаковка
Модули тренировки продукта	Высоковольтные интегральные схемы (HVIC драйверы ворот)
ПХН устаревших продуктов	Несколько устройств 05/Nov/2013
ПХН компоненты/происхождения	Mosfet Backend вафельная обработка 23/Oct/2013
Стандартный посылка	50
Категория	Дискретная полупроводниковые транзисторы
Семья	Полевых транзисторов-один
Серия	HEXFET?
Посылка	Фитинги
Полевых транзисторов типа	MOSFET n-канал, оксид металла
Полевого транзистора функция	Логический уровень ворота
Дренажное напряжение (Vdss)	60 V
Ток-непрерывный слив (Id) (время 25 ° C)	195A (Tc)
По-разному? Id? Rds на Vgs время (максимум)	2,4 МОм @ 165A, алюминиевая крышка, 10В
Различные Vgs (th) (максимум) Id, когда	2,5 в @ 250? А
Vgs при разном заряде ворот (Qg)	140nC @ 4,5 V
Vds при различной емкости входного сигнала (СНПЧ)	11210pF @ с алюминиевой крышкой, 50В
Мощность-максимальная	380 W
Монтажный Тип	Отверстий
Посылка/Чехол	Для-220-3
Информация о поставщике устройство в упаковке	TO-220AB