Молибденовый диселенид 10: титанит бария SrTiO3 подложка MoSe2

Метод производства:

Химическое осаждение паров (CVD)

Шесть углеродных технологий MoSe2 пленка разделена на различные:

1) один слой дискретно распределенных изолированных зерен, как правило, с длиной стороны в десятки микрон.

2) Однослойная непрерывная пленка, состоящая из изолированных зерен, продолжает расти вместе в даляне с несколькими слоями зон.

3) Подложка: есть много других подложек для MoSe2, и SiO2/Si подложка является прямым продуктом осаждения. Другие подложки, такие как кремниевые пластины, ПЭТ, ПИ, Ито, ФТО, стекло, металлические подложки и т. Д., переносятся на подложку, требуемую клиентом после роста на SiO2/Si.

Оптоэлектронные устройства, микроэлектронные устройства, биозондирование, химическое зондирование и другие области.

10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-дюймовые вафли или заказной размер.

Очистка вакуумной упаковки продуктов питания, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..

MIT, Caltech, Стэнфордский университет;

Оксфордский университет, Манчестерский университет;

Сеульский национальный университет, корейский научно-технический университет (KAIST) и Университет сунгкюнквана;

Токийский технологический университет, Murata Manufacturing Co., Ltd.

Университет Цинхуа, Пекинский университет, Университет полупроводников, китайская научная школа

И другие исследовательские организации мирового класса.