Описание
Название продукта
Китайское название: SiC nanowires (очень длинный)
Английское название: SiC Nanowires CVD метод (ультра)
Природа
Диаметр: 100-600 Нм
Длина:> 100um
Тип кристалла: бета
Плотность: 3,21g/cm3
Внешний вид: серо-зеленый
Чистота: ~ 98%
Применение
Электроника, информация, технология прецизионной обработки, военные, аэрокосмические, высокотемпературные огнеупорные материалы, специальные керамические материалы, передовые шлифовальные материалы и армированные материалы
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Габаритные размеры
- Diameter: 100-600 nm
- Наличие стандарта
- Нестандартный
- Номер модели
- Silicon carbide
- Материал
- Другое
Сопутствующие товары
