Один кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированная
  • Один кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированная
  • Один кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированная
  • Один кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированная

Один кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированная

41 075 руб.

Описание

ОдинБоковая полировка одного кристалла кремния

Технические характеристики:

Монокристаллического кремниевой подложке

1. Длина 5 мм, ширина 5 мм, толщина 1 мм
2. Двойная Сторона полирована
3.100 шт. p Тип 100 шт N Тип
4.Допинга элементарныхTP Тип BN типа p

Материал:

Высокая чистота монокристаллическая кремния, двухсторонняя полировка, сопротивление: 0.0001-100

Использует:

1. pvd/CVD покрытие подложка

2. используется в качестве XRD (x ray diffraction analysis), sem (сканирующий электронный микроскоп), AFM (микроскоп атомной силы), ftir инфракрасный, флюоресценционная спектроскопия и другие аналитические образцы

3. synchrotron излучатель Экспериментальный образец носителя

4. Подложка для молекулярного пучка

5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.

Один кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированнаяОдин кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированнаяОдин кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированнаяОдин кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированнаяОдин кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированнаяОдин кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированнаяОдин кристалл кремниевых пластин/5*5*1 мм Si подложки/double side полированная

Характеристики

Габаритные размеры
5*5*1mm
Стандартный
GB
Номер модели
Single crystal silicon wafer
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Si