Описание
ОдинБоковая полировка одного кристалла кремния
Технические характеристики:
Монокристаллического кремниевой подложке
1. Длина 5 мм, ширина 5 мм, толщина 1 мм
2. Двойная Сторона полирована
3.100 шт. p Тип 100 шт N Тип
4.Допинга элементарныхTP Тип BN типа p
Материал:
Высокая чистота монокристаллическая кремния, двухсторонняя полировка, сопротивление: 0.0001-100
Использует:
1. pvd/CVD покрытие подложка
2. используется в качестве XRD (x ray diffraction analysis), sem (сканирующий электронный микроскоп), AFM (микроскоп атомной силы), ftir инфракрасный, флюоресценционная спектроскопия и другие аналитические образцы
3. synchrotron излучатель Экспериментальный образец носителя
4. Подложка для молекулярного пучка
5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.







Характеристики
- Габаритные размеры
- 5*5*1mm
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Single crystal silicon wafer
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Si












