QSI лазерный диод QL65F5SA, 650nm 10 МВт T018 5,6 мм InGaAIP лазерный диод
  • QSI лазерный диод QL65F5SA, 650nm 10 МВт T018 5,6 мм InGaAIP лазерный диод
  • QSI лазерный диод QL65F5SA, 650nm 10 МВт T018 5,6 мм InGaAIP лазерный диод

QSI лазерный диод QL65F5SA, 650nm 10 МВт T018 5,6 мм InGaAIP лазерный диод

417 руб.

Описание

Обзор
QL65F6S-A/B/C-это mockvd Выращенный 650nm группа InGaAlP лазерный диод с квантовым колодцем
Структура. Это привлекательный источник света, с типичной световой выходной мощностью 10 МВт и низким
Рабочий ток для оптоэлектронных устройств, таких как оптический пикап и штрих-код ридер.
♦APPLICATION
-Оптический Пикап
-Лазерный модуль
-Считывания штрих-кода
♦ Особенности
-Видимый световой выход: & lambda; p = 650 нм
-Оптическая Выходная мощность: 10 МВт CW
-Тип посылка: до-18 (5,6 мм & phi;)
-Встроенный фото диода для мониторинга лазерного диода
QSI лазерный диод QL65F5SA, 650nm 10 МВт T018 5,6 мм InGaAIP лазерный диод
QSI лазерный диод QL65F5SA, 650nm 10 МВт T018 5,6 мм InGaAIP лазерный диод