Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220
  • Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220
  • Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220
  • Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220
  • Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220
  • Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220

Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220

5.0 8 отзывов 19 заказов
127 руб.

Описание

Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220

Categories: Дискретные полупроводниковые продукты транзисторы-FETs, мосфеты-одиночные

Серия: HEXFET®

Упаковка: туба

Состояние части: для активного отдыха

Тип FET: n-канал

Технология: MOSFET (оксид металла)

Слив в исходное напряжение (Vdss): 100 в

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C: 33A (Tc)

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.): 10 в

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 16A, 10 V

Vgs (th) (Max) @ Id: 4 V @ 250 & micro; A

Заряд затвора (Qg) (макс) @ Vgs: 71nC @ 10 V

Vgs (макс.): ± 20 в

Входная емкость (СНПЧ) (макс) @ Vds: 1960pF @ 25 V

Рассеиваемая мощность (макс.): 130 Вт (Tc)

Рабочая температура:-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Тип крепления: сквозное отверстие

Посылка устройства поставщика: TO-220AB

Посылка/Чехол: TO-220-3

Высокое качество 10 шт. mosfet irf540 IRF540N полевой транзистор irf540npbf to-220

Характеристики

Состояние
Новый
Напряжение электропитания
standard
Мощность рассеивания
standard
Рабочая температура
standard
Номер модели
IRF540NPBF
Бренд
MCIGICM
Тип
Integrated Circuits
Применение
multipurpose
Упаковка
TO-220